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《SiC晶片的殘余應力檢測方法》等六項團體標準實施

   2019年12月30日,中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟發布《SiC晶片的殘余應力檢測方法》等六項團體標準的公告。

根據《中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟團體標準管理辦法》的相關規定,批準發布《SiC 晶片的殘余應力檢測方法》、《功率半導體器件穩態濕熱高壓偏置試驗》、《碳化硅單晶拋光片表面質量和微管密度檢測方法-激光散射檢測法》、《導電碳化硅單晶片電阻率測量方法—非接觸渦流法》、《碳化硅單晶拋光片表 面質量和微管密度測試方法——共焦點微分干涉光學法》、《半絕緣碳化硅單晶 片電阻率非接觸測量方法》六項團體標準。上述六項標準自 2019年12月27日發布,自2019年12月31日起實施。

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附件:關于批準發布SiC晶片的殘余應力檢測方法等六項團體標準的公告1227.pdf



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